年改采用载子局限能力更优异的砷化镓/砷化铝镓系列材料，才在实验室阶段达成室温下脉冲操作，发光波长为 874nm［21］，在1988年由 Fumio Koyama 与Iga 教授团队进一步达成室温下连续波操作［22］［23］，该团队采用的磊晶成长技术已经由先前制作半导体雷射二极体时所用的液相磊晶法转换为更先进的有机金属化学气相沉积法（metalorganic chemical vapordeposition, MOCVD，也称为 metalorganic vapor phase epitaxy, MOVPE），这也是目前绝大多数化合物半导体发光元件及高速电子元件所采用的主流磊晶技术。大约同时期在1989年美国电话电报公司 AT&T Bell Lab.（贝尔实验室）卓以和院士所带领的研究团队利用分子束磊晶技术（molecular beam epitaxy, MBE）成长全磊晶结构VCSEL 元件，并采用离子布植法制作注入载子局限孔径成功在室温下达成电激发光连续波操作的成果。

面射型雷射制作技术也在1980年代中期开始成为众多公司与研究单位积极发展的研究课题，包括早期拥有最多 VCSEL 相关专利的全录公司在矽谷的Palo Alto 研究中心 Xerox PARC (Xerox Palo Alto Research Center, Inc.)、Gore Photonics • Sandia国家实验室、Bellcore（Telcordia）等。在投入多年的研发人力与资源之后，1996年起已有包括Honeywell、Mitel、Emcore Mode、Agilent 和 Cielo 等公司推出多种商品化量产产品面市，并且在 1999年全球 VCSEL 元件出货量已经突破1000 万颗。然而相关的研究仍持续进行中，除了应用选择性氧化技术制造红外光光纤通讯用面射型雷射以外，可见光面射型雷射的相关研究也相当引人关注，特别是在1998年中村修二博士发表氮化镓材料所制作的高效能蓝光半导体雷射二极体后，如何制作涵盖完整可见光频谱范围的红、绿、蓝光面射型雷射也成为具有高度挑战性的研究主题。除了波长上的考量以外，如何提高调变频宽以及制作单模输出面射型雷射也是相当热门的研究题目