12）TM 顶层金属光刻处理。通过微影技术将 TM 掩膜版上的图形转移到晶圆上，形成TM 光刻胶图案，TM 区域上保留光刻胶。TMV作为TM光刻曝光对准。图4-291所示为电路的版图，工艺的剖面图是沿 AA'方向，图4-292 所示，是 TM光刻的剖面图，图4-293所示为TM显影的剖面图。

13） 量测TM光刻的关键尺寸。

14） 量测TM的套刻，收集曝光之后的TM 光刻与TMV的套刻数据。

15） 检查显影后曝光的图形。

16） TM干法刻蚀。利用干法刻蚀去除没有被光刻胶覆盖的金属，保留有光刻胶区域的金属形成金属互连线。刻蚀的气体是Cl₂。刻蚀最终停在氧化物上，终点侦查器会侦查到刻蚀氧化物的副产物。图4-294所示为TM 刻蚀的剖面图。

17）去除光刻胶。干法刻蚀利用氧气形成等离子浆分解大部分光刻胶，再通过湿法刻蚀利用有机溶剂去除金属刻蚀残留的氯离子，因为氯离子会与空气接触形成HCI 腐蚀金属。如图4-295所示，是去除光刻胶的剖面图。

18）量测TM 刻蚀关键尺寸。

19）淀积SiO₂。通过PECVD 淀积一层厚度约为1000A的SiO₂。淀积的方式是利用TEOS在400°C发生分解反应形成二氧化硅淀积层。SiO₂可以保护金属，防止后续的 HDP CVD 工艺损伤金属互连线。图4-296所示为淀积SiO₂的剖面图。