10）淀积USG。通过SACVD O₃-TEOS 淀积一层厚度约5000A的USG。淀积的方式是利用 TEOS 和O₃在400°C发生反应形成二氧化硅淀积层。目的是隔离 BPSG与上层金属，防止 BPSG中析出的硼和磷扩散影响上层金属，以及修复 CMP 对表面的损伤。

11）淀积SiON。利用 PECVD淀积一层厚度约200 ~300A的SiON 层，利用硅烷（SiH₄）、一氧化二氮（N₂O）和 He 在400°C的温度下发生化学反应形成SiON淀积。SiON层作为光刻的底部抗反射层（BARC）。图4-229 所示为淀积 SiON 的剖面图。