13）去除光刻胶。干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。图4-209所示为去除光刻胶的剖面图。

14） P+退火激活。利用快速热退火在800°C的H₂环境中，修复p＋离子注入造成硅表面的晶体损伤，恢复晶格结构，激活硼离子。