b）第二道离子注入硼，离子注入得比较浅，能量比较低，作为沟道浓度调节，加大LDD以下局部阱的浓度，使器件工作时该位置的耗尽层更窄，防止器件源漏穿通漏电。

c）第三道离子注入BF₂，离子注入表面，能量很低，调节 NMOS 阈值电压V_t。

12） 去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。图4-168所示去除光刻胶的剖面图。

13）NW和PW阱离子注入退火。利用 RTA 在H₂环境中加热退火激活 NW和PW的杂质离子，修复离子注入造成的硅衬底晶格损伤，同时会造成杂质的进一步扩散，快速热退火可以降低杂质的扩散。

14）湿法刻蚀去除牺牲层氧化硅。利用HIF 和H₂O（比例是50:1）去除牺牲层氧化硅。图4-169所示为去除牺牲层氧化硅的剖面图。