₃N₄上影响后续步骤Si₃N₄的刻蚀。当终点侦测器侦测到Si₃N₄的信号时还需要再研磨一段时间，但Si₃N₄的硬度较大，所以氧化硅研磨速率会更快，所以 STI 区域的氧化硅会比Si₃N₄区域低一点。图4-157所示为STI平坦化的剖面图。

11）清洗。利用酸槽清洗晶圆，得到清洁的表面。因为STI CMP 是用化学机械的方法，会产生的颗粒很多，所以要清洗。

12）湿法刻蚀去除Si₃N₄。利用180°C浓度91.5%的H₃PO₄与Si₃N₄反应去除晶圆上的Si₃N₄，刻蚀停在氧化硅上。因为热H₃PO₄与Si₃N₄对氧化物的刻蚀率非常低，另外如果STI CMP没有把Si₃N₄上的氧化物完全清除，会有残留的氧化物覆盖在Si₃N₄上，最终导致这一步工艺也不能完全清除Si₃N₄。图4-158 所示为去除Si₃N₄的剖面图。

13）湿法刻蚀去除前置氧化层。湿法刻蚀用一定比例的HF、NH₄F 和H₂O去除前置氧化层。因经过上面一系列的工艺，衬底硅的表面会有很多损伤，前置氧化层损伤也很严重，因此要去掉前置氧化层后生长一层氧化硅来改善这些损伤。图4-159所示为去除前置氧化层的剖面图。