启闳半导体科技(江苏)有限公司QiHong Semicon TECHNOLOGY (JIANGSU) CO.,LTD
SiH4)、一氧化二氮(N2O)和 He 在400°C的温度下发生化学反应形成 SiON 淀积。SiON层作为光刻的底部抗反射层(BARC)。图4-78所示为淀积SiON 的剖面图。