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源漏离子注入工艺
来源: | 作者:LiLi | 发布时间: 2024-10-14 | 62 次浏览 | 分享到:

H2环境中,退火时间是10~20s,退火的目的是修复离子注入造成的硅表面晶体损伤,激活离子注入的杂质。

15)去除氧化层。利用湿法刻蚀去除氧化层。图4-73所示为去除表面氧化硅后的剖面图。

ic)清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗,得到清洁的表面,防止表面的杂质在生长氧化层时影响氧化层的质量。

17)生长氧化层。利用炉管热氧化生长一层薄的氧化层,利用O2在830°C左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化,形成厚度约100A的氧化硅。隔离和保护衬底,防止 ILD 中的杂质向衬底扩散,影响器件性能。图4-74所示为淀积氧化层的剖面图。

18)淀积SiON。利用 PECVD淀积一层厚度约200~300A的SiON 薄膜,利用硅烷(SiH4)、一氧化二氮 (N2O) 和 He 在 400°C的温度下发生化学反应形成SiON 淀积。SiON 层可以防止 BPSG 中的B,P析出向衬底扩散,影响器件性能。图4-75所示为淀积 SiON 的剖面图。