H₂环境中，退火时间是10~20s，退火的目的是修复离子注入造成的硅表面晶体损伤，激活离子注入的杂质。

15）去除氧化层。利用湿法刻蚀去除氧化层。图4-73所示为去除表面氧化硅后的剖面图。

ic）清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的表面，防止表面的杂质在生长氧化层时影响氧化层的质量。

17）生长氧化层。利用炉管热氧化生长一层薄的氧化层，利用O₂在830°C左右的温度下使多晶硅和衬底硅氧化，形成厚度约100A的氧化硅。隔离和保护衬底，防止 ILD 中的杂质向衬底扩散，影响器件性能。图4-74所示为淀积氧化层的剖面图。

18）淀积SiON。利用 PECVD淀积一层厚度约200~300A的SiON 薄膜，利用硅烷（SiH₄）、一氧化二氮 （N₂O） 和 He 在 400°C的温度下发生化学反应形成SiON 淀积。SiON 层可以防止 BPSG 中的B,P析出向衬底扩散，影响器件性能。图4-75所示为淀积 SiON 的剖面图。