12）去除光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。去除光刻胶后的剖面图如图4-62所示。

13）清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的表面，防止表面的杂质在后序退火工艺中扩散到内部。

14） LDD 退火激活。利用快速热退火（RTP）在950°C的H₂环境中，退火时间是5s左右，目的是修复离子注入造成的硅表面晶体损伤，激活离子注入的杂质。