8）量测AA 套刻，收集曝光之后的AA与第零层的套刻数据。

9）检查显影后曝光的图形。

10）AA 干法刻蚀。干法刻蚀利用 Ar 和CF₄形成等离子浆去除没有光刻胶覆盖的Si₃N₄，刻蚀停在前置氧化层防止损伤硅衬底，形成AA区域的图形。AA干法刻蚀的剖面图如图4-22所示。

11）去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。去除光刻胶的剖面图如图4-23所示。

12）量测AA刻蚀关键尺寸。收集刻蚀后的AA 关键尺寸数据，检查 AA关键尺寸是否符合产品规格。

13）检查刻蚀后的图形。如果有重大缺陷，将不可能返工，要进行报废处理。

14）去除氧化层。利用湿法刻蚀去除氧化层。