11） 检查显影后曝光的图形。

12）NW离子注入。与PW类似，注入磷离子形成n型的阱，NW离子注入也必须在LOCOS 场氧形成之前。图4-12所示为NW离子注入的剖面图。

13）去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶。如图4-13所示，是去除光刻胶的剖面图。

14）清洗。将晶圆放入清洗槽中清洗，得到清洁的表面，防止表面的杂质在后续退火工艺中扩散到内部。

15）NW和PW 阱推进和退火。利用高温炉管退火激活 NW 和PW的杂质离子和修复晶格损伤，温度为1100~1200°C，时间是1.5h，同时把掺杂离子推进到特定的深度。退火激活杂质离子是指通过高温驱使不在晶格位置上的离子恢复到晶格的固定位置，以便具有电活性，产生自由载流子，起到掺杂的作用。修复晶格损伤是指因为高能加速的离子注入的离子进入硅衬底撞击晶格上的原子偏离晶格位置形成晶格损伤，致使晶格的特性改变，通过高温驱使偏离的原子恢复晶格的结构。如图4-14所示，是阱推进的剖面图。