极的电阻，而不会改变有源区的电阻。

Polycide 工艺技术主要应用在特征尺寸在亚微米的集成电路制造工艺。Polycide 工艺技术的工艺实现过程是首先通过 LPCVD 淀积多晶硅薄膜，然后再通过LPCVD在多晶硅上淀积金属硅化物WSi₂薄膜。WSi₂反应的气体源是SiH₂Cl₂和WF₂，反应的温度是550°C，它的化学反应式是7SiH₂Cl₂+2WF₂==2WSi₂+3SiF₄+14HCI。WSi₂的热稳定性非常好，它的阻值并不会随着工艺温度而改变。

硅和金属硅化物存在相互扩散的问题，对于 Polycide工艺技术，淀积的是 WSi₂金属，多晶硅和WSi₂的相互扩散可以促使多晶硅和WSi₂更好的结合，并不会影响器件性能和栅极的电性。另外，Polycide 只淀积在 Poly 层上，多晶硅栅的掺杂类型不会影响 Polycide 的阻值，所以设计上不会区分n 型或者p 型多晶硅电阻。

为了更好的理解 Polycide 工艺技术，图3-103所示为亚微米及以上工艺制程技术形成 Polycide 的剖面图。