部延伸，但是在重掺杂的漏极有源区内部只会形成很小的耗尽区，从PW 到重掺杂的漏极有源区是一个突变的过程，电场强度在PW与重掺杂的漏极有源区的突然达到最大值，没有一个缓变的过程，并且电场强度的峰值很高。图3-74所示，是没有LDD结构和有LDD 结构的电场分布和比较图。

对于工艺技术在0.8μm 及其以上的工艺，通常只会考虑对NMOS 进行LDD离子注入，因为PMOS 的HCI 问题并不严重，所以不需要进行LDD 离子注入。而对于工艺技术在0.5μm 及其以下的工艺，无论是 NMOS 还是PMOS 都需要进行LDD 离子注入。并且在常规的深亚微米LDD 工艺技术中除了包含削弱热载流子注入效应的LDD 离子注入外，还使用了晕环或者口袋离子注入。

虽然只有漏极附近强电场强度区域才会产生热载流子，理论上只需考虑漏极的LDD离子注入，但是器件的源漏是对称，为了降低工艺的复杂性，源和漏极都需要进行LDD离子注入。相对于传统的CMOS工艺技术，LDD结构的缺点是增加了工艺的复杂性，以及增加了工艺成本。另外 LDD 还会增加额外的源极和漏极的寄生电阻，因为与没有LDD 结构的MOS 相比，轻掺杂的LDD结构作为源漏有源区与沟道之间的衔接区，LDD衔接区比重掺杂的源漏有源区电阻率大，额外增加的源极和漏极的寄生电阻会降低器件的速度。