图2-49所示为 FD-SOI工艺技术流程图。FD-SOI的工艺技术与MOSFET 平面工艺制程是兼容的，FD-SOI 的工艺技术的前段工艺制程采用了HKMG（金属嵌入多晶硅栅）技术和应变硅技术，后段依然是大马土革结构的铜制程。这里的1-23只是简单描绘了前段工艺流程。

FD-SOI 工艺技术是利用外延生长技术使源和漏有源区凸起，同时进行源和漏掺杂，因为FD-SOI 的有源区厚度很薄，通过外延生长技术使源和漏有源区凸起，可以增加有源区的厚度和表面积，从而可以形成更厚的 Salicide，减小源和漏的接触电阻。在 PMOS 源和漏有源区外延生长 SiGe 应变材料和在 NMOS 源和漏有源区外延生长SiC 应变材料可以在器件沟道产生应力，提高载流子速度，最终提高 FD-SOI 器件的速度。