O₂反应生成 HfSiO。

金属嵌入栅极工艺技术与传统的Poly/SiON 工艺技术流程类似，只是多了要在高K介质材料与多晶硅栅嵌入“覆盖层”的工艺步骤。图2-23所示为简单的HKMG 金属嵌入多晶硅栅工艺技术流程。