料和集成方案。选择不同的金属栅极材料可以得到不同的栅极功函数，从而控制阈值电压V_t。为了实现HKMG工艺技术，半导体业界提出了二种主要的集成方案：一种先栅（Gate-First） 工艺技术，也称金属嵌入多晶硅柵 （Metal Inserted Poly Silicon, MIPS） 工艺技术，它的栅介质 材料是HfSiON，同时在高K介质材料和多晶硅栅之间插入一层金属材料，一种是后栅（Gate- Last）工艺技术，也称金属替代栅（Replacement Metal Gate, RMG）工艺技术，它的栅极是金属材料，它的栅介质材料是 HfO₂。