₂掺杂后形成的 HfSiO 或者 H阀、HfSiON 的介电常数会降低，HfSiO 的介电常数比较低，只有7~15，而HfSiON的介电常数会随着N元素的含量变化而增大，最大可达16。对HfO₂掺杂N 离子可以提高结晶温度，减小栅极漏电流，抑制硼穿通效应。对HfO₂掺杂Si离子可以改善界面态，提高载流子迁移率。

通过改变工艺流程和利用金属栅极可以使 HfO₂与目前的硅工艺兼容。另外，通过对栅极嵌入金属材料也可以使 HfSiON与目前的硅工艺兼容。所以目前HfO₂和HfSiON 是最适合用作栅极高K介质材料。