掺杂扩散区，P+是P型重掺杂扩散区，P-Base 是p型基区，PW （P-WELL）是p型阱，NW（N-WELL）是深n型阱，NBL（N type Buried Layer）是n型埋层，P-sub（P-substrate）是P型衬底，N-EPI（N-Epitaxial）是n 型外延层。

由于双极型工艺制程技术制造流程简单，制造成本低和成品率高，另外在电路性能方面它具有高速度、高跨导、低噪声、高模拟精度和强电流驱动能力等方面的优势，它一直受到设计人员的青睐。双极型晶体管是电流控制器件，而且是两种载流子（电子和空穴）同时起作用，它通常用于电流放大型电路、功率放大型电路和高速电路。它一直在高速电路、模拟电路和功率电路中占主导地位，但是它的缺点是集成度低和功耗大，其纵向（结深）尺寸无法跟随横向尺寸成比例缩小，所以在VL-SI（超大规模集成电路）中受到很大限制。在20世纪60年代之前集成电路基本是双极型工艺集成电路，双极型工艺集成电路也是史上最早发明的具有放大功能的集成电路，直到20世纪70年代 NMOS 和CMOS 工艺集成电路开始在逻辑运算领域逐步取代双极型工艺集成电路的统治地位，但是在模拟器件和大功率器件等领域双极型集成电路依然占据重要的地位。