GaN 在功率半导体领域以功率放大、整流和高频切换等应用为主，在 300V~1kV的中压电力电子市场成长快速。此外，节能产业对高效率中高压变频器的需求也会加速 GaN 功率半导体市场的成长。采用 MOCVD 方法在蓝宝石基板上生长 GaN 薄膜的技术在LED 产业已十分成熟，故在新兴的电力电子市场，发展以 MOCVD 在大尺寸的 Si 基板上形成 GaN-on-Si 结构来制作功率器件的技术极具产业化潜力。

SiC 的阻断电压远比 GaN、功率 MOS 管及硅 IGBT 要高，适合用在高于 1kV的高压及大电流的电力电子领域，主要市场以铁路交通和高压电网等为主，但稳定性及较长的生命期是主要需要考虑的因素。此外，美国 Cree 公司也已量产GaN-on-SiC 结构的微波器件。