MOCVD 技术生长高纯度的 GaAs，并且摻杂 AI、Ga、As 和 GaAs 等多层结构。由于窄带隙的GaAs 中电子亲和力大，因此宽带隙 AIGaAs 层中的自由电子渡越到高纯的 GaAs 中靠近 AIGaAs 界层中，产生二维电子气。HEMT 在电路中比MESFET 具有更好的高速性能，而且高纯砷化镓中的杂质散射很弱，具有很高的电子迁移率。HEMT 的主要性能指标是输出功率和频率特性等。

未来的微波器件将具有更好的稳定性、热导率、耐热性、耐压性并抗辐射。