EPROM 可用于存储小量信息，早期技术只容许单个字节地擦除，现代技术可以对 EEPROM 的多个字节进行上百万次的擦除，做到了与 MTP 词义相符。

EEPROM 根据字节擦除的限制也导致后来闪速存储器（Flash Memory）的出现。闪速存储器的优点是可以根据字区(Block）进行擦除。

新的非易失性存储器技术，例如，铁电随机存取存储器 (Ferroelectric RAM,FRAM 或 FeRAM)和磁性随机存取存储器 ( Magnetic RAM, MRAM)在某些应用场合正在缓慢地取代 EEPROM。