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目前，TSV 主要有三大应用领域，分别是三维集成电路（3D 1C）封装、维圆片级芯片尺寸封装（3D WLCSP）和2.5D 中介转接层（Interposer）封裝。

（1）3D1C封装：目前，3D IC 的应用方向主要是存储类产品，其原因是存储类产品引脚密度小，版图布局规律，芯片功率密度小等。通过 TSV 通孔实现三维集成，可以增加存储容量，降低功耗，增加带宽，减小延迟，实现小型化。

(2）3D WICSP： 主要应用于图像 指纹、滤波器、加速度计等传感器封装领域。其特点是采用 Via Last 工艺，TSV 深宽比较小（1：1~3：1），孔径较大。出于对成本的考虑，目前图像传感器封装大多采取低深宽比的 TSV 结构，其封装工艺流程如图所示。

（3） 2.5D 中介转接层封装：细线条布线中介转接层针对的是 FPCA、CPU等高性能的应用，其特征是正面有多层细节距再布线层和细节距微凸点，主流ISV 深宽比达到 10:1，厚度约为 100wm。由于受技术难点和成本的限制，以及封装厚度增加等问题，目前2.5D 中介转按层处于小批量生产阶段。图所示为TSV 中介转接层加工工艺流程。