目前再布线层主要采用两种材料，一种是采用腐蚀方法加工的铝再布线层，另一种是采用电镀方式形成的铜再布线层。通常，铝再布线层的金属厚度为1~4um；采用电镀铜工艺的再布线层厚度可以达到 10um，其对电流的承载能力强于铝再布线层，因此对于需要承载大电流的电源管理类器件，通常会选用电镀铜再布线工艺。

凸点下金属层是连接焊锡凸点与芯片最终金属层（铝垫或再布线层）的中间层，需要在芯片与凸点之间形成良好的电气连接。凸点下金属层需要包含界面扩散阻挡层和与焊锡凸点的反 应润湿层。凸点下金属层通常采用溅射或溅射加电镀的方式来制备，材料组合有 Ti(SP) /Cu(SP)/Cu (PL)、TW (SP)/Cu(SP)/Cu(PL)、Ti(SP)/Cu (SP)/Ni(PL) 、Ti( SP)/NiV ( SP)、CI ( SP )/NiY(SP)等（说明：括号内标示usp，代表溅射，“PL”代表电镀)。在某些产品中，也会采用化学镀镍金作为凸点下金属层。

下图所示为典型的 RDL-WICSP 前道凸点工艺流程。

完成凸点工艺后，还要进行后段封装工艺，主要包合圆片探针测试、圆片减薄、切割和编带等，如下图所示。