可编程逻辑电路设计—可靠性设计
来源:整理综合自《集成电路产业全书》
|
作者:Belle
|
发布时间: 2022-09-02
|
566 次浏览
|
分享到:
负偏压温度不稳定性（Negative Bias Temperature Instability,NBTI）、热载流子注入（Hot Carrier Injection,HCI）效应、电迁移（Electromigration,EM）效应、静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）和辐射效应等因素对于集成电路的可靠性有很大影响。可靠性设计就是通过设计阶段的优化，降低这些因素对集成电路和性能的影响，从而提高集成电路的可靠性。
对于NBTI、HCI效应和EM效应引起的可靠性问题，建立精确的物理模型和电路级、单元级的仿真方法更为重要。有了精确的分析结果，才能有针对性地对电路进行优化。目前，ESD保护电路已较为成熟。抗辐射电路设计是可靠性设计中较为专门的领域，主要在军事和航天中应用，可通过电路和工艺上的加固，以及电路的冗余设计等方法降低辐射的影响，提高电路可靠性。
