（3）考虑DFM的布线优化。传统布线算法一般仅考虑布通率、总线长等优化目标，而在考虑DFM的布线优化中，还需考虑与多重曝光、电子束光刻（Electron-Bean Lithography）等新光刻技术的兼容性。

（4）考虑DFM的掩模版优化。例如，多重曝光光刻技术、DSA（Directed Self-assembly）等新光刻工艺中的版图图形分解技术、多重曝光、DSA与电子束光刻的混合光刻版图分解技术、Mask版图中光刻热点检测技术等。

（5）金属哑元插入技术。该技术用于提升化学机械抛光工艺后芯片表面的平整性。

（6）冗余通孔技术（Redundant Via)。该技术用于提升通孔的可靠性。

当集成电路进入纳米尺度后，部分DFM技术已进入芯片代工厂（Foundry）的参考设计流程（Reference Flows）中，是设计者必须考虑的设计环节之一。在可见的未来，DFM技术会随着新的制造工艺和设计技术的出现而不断扩充和发展。集成电路设计者需在具有DFM功能的电子设计自动化（Electronic Design Automation,EDA）工具的协助下，在设计阶段充分考虑工艺制造中的困难，这样才能有效提升流片后芯片的成品率。