将位线上的电压差放大至全摆幅并保持。由于字线仍然打开，此时灵敏放大器通过位线完成了存储单元的回写又恢复了其原有数据，这个过程称为刷新。激活操作完成后,该页上的数据可以进行随机读写。根据列地址，读操作将相应列灵敏放大器的数据读出;写操作将数据写入灵敏放大器再由灵敏放大器将数据回写至存储单元。预充操作将激活的页关闭，包括关闭字线，关闭灵敏放大器并将位线预充至中间电位等待下次激活操作。在此基础上，DRAM设计需要通过仿真和可靠性分析，研究最小存储模块中字线和位线的拓扑结构，确定字线、位线和数据线的物理宽度，优化最小存储模块的面积，完成其电路图和版图的设计。

虽然工艺在不断进步，但DRAM核心模块的读/写速度并没有显著提升。DRAM通过提高内部并行度的预取技术以及高速数据通路和高速接口技术来提升存取速度,并由此衍生出一系列的产品:SDRAM(同步动态随机存取存储器)、DDR DRAM(双倍速率同步动态随机存取存储器)、DDR2 DRAM(第二代双倍速率同步动态随机存取存储器)、DDR3 DRAM(第三代双倍速率同步动态随机存取存储器)和DDR4 DRAM(第四代双倍速率同步动态随机存取存储器)。